基本信息
主管：中国电子科技集团公司
主办：中国电子科技集团公司第十三研究所
出版地区：河北省石家庄市
发行周期：月刊
创刊时间：1976
邮发代号：18-65
出版信息
主管：中国电子科技集团公司
📚版面字符： 12000-40000
📑页数： 信息科技页
🔍查重要求： 无线电电子学
📈复合影响因子：0.878
📈综合影响因子：0.531
👉审稿周期：1-3个月
学术目录： 第一批
收录：知网,万方,维普
发文刊期：无线电电子学
📌类别：电子
每期发文量：半导体技术篇
审稿难度：
下载中心
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发文量：9094 篇
下载次数：1933382次
被引次数：38725次
期刊简介
《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。"向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场，提供技术成果展示、转化和技术交流的平台，达到了促进我国半导体技术不断发展的目的"是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望：全面阐述半导体技术与应用的发展趋势；专题报道：每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题，进行有深度、广度的全面剖析；器件制造与应用：半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用；工艺技术与材料：介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料；集成电路设计与开发：各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向；封装、测试与设备：介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术；MEMS技术：现代管理：半导体代工厂、洁净...[查看详情]
期刊栏目
杂志近十年关键词:化学机械抛光(CMP),单片微波集成电路(MMIC),GaN,SiC MOSFET,可靠性,低功耗,硅通孔(TSV),击穿电压,高电子迁移率晶体管(HEMT),GaN功率放大器单片微波集,SiC,失效分析,功率放大器,阈值电压,绝缘栅双极型晶体管(IGBT),发光二极管(LED),IGBT,GaAs,有限元仿真,功率器件
收稿方向
无线电电子学, 电力工业, 材料科学, 自动化技术, 物理学, 电信技术, 工业通用技术及设备, 计算机硬件技术, 计算机软件及计算机应用, 无机化工, 化学, 工业经济, 汽车工业, 仪器仪表工业, 金属学及金属工艺, 有机化工, 航空航天科学与工程, 机械工业, 动力工程, 铁路运输
期刊收录
期刊点评
本刊为：中文核心（2023年版）, CACJ-入库（武大版应用核心2023版）, 科技核心（2024自然科学）, RCCSE(中文B+)(2023第七版), 维普收录, 万方收录, 知网收录,第一批认定学术期刊
论文发表
投稿须知
1、《半导体技术》文稿应资料可靠、数据准确、具有创造性、科学性、实用性。应立论新颖、论据充分、数据可靠，文责自负（严禁抄袭），文字要精炼。
2、《半导体技术》姓名在文题下按序排列，排列应在投稿时确定。作者姓名、单位、详细地址及邮政编码务必写清楚，多作者稿署名时须征得其他作者同意，排好先后次序，接录稿通知后不再改动。
3、文章要求在2000-2400字符，格式一般要包括：题目、作者及单位、邮编、内容摘要、关键词、正文、参考文献等。文章标题字符要求在20字以内。
4、文章中的图表应具有典型性，尽量少而精，表格使用三线表；图要使用黑线图，绘出的线条要光滑、流畅、粗细均匀；计量单位请以近期国务院颁布的《中华人民共...[查看详情]
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