期刊级别:北大期刊,统计源期刊
投稿方式:Email投稿,官网投稿
主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
国内刊号:13-1109/TN
国际刊号:1003-353X
主管:中国电子科技集团公司
主办:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版地区:河北省石家庄市
发行周期:月刊
创刊时间:1976
邮发代号:18-65
主管:中国电子科技集团公司
📚版面字符: 12000-40000
📑页数: 信息科技页
🔍查重要求: 无线电电子学
📈复合影响因子:0.878
📈综合影响因子:0.531
👉审稿周期:1-3个月
学术目录: 第一批
收录:知网,万方,维普
发文刊期:无线电电子学
📌类别:电子
每期发文量:半导体技术篇
审稿难度:
半导体技术期刊年发文量::2017年167篇,2018年154篇,2019年172篇,2020年154篇,2021年157篇,2022年153篇,2023年156篇,2024年154篇,2025年154篇,2026年25篇
期刊历年基金文献和总文献占比:2017年67.07%,2018年66.88%,2019年64.53%,2020年67.53%,2021年55.41%,2022年54.25%,2023年50.0%,2024年54.55%,2025年60.39%,2026年56.0%
杂志文献学科分布:无线电电子学, 电力工业, 材料科学, 自动化技术, 物理学, 电信技术, 工业通用技术及设备, 计算机硬件技术, 计算机软件及计算机应用, 无机化工, 化学, 工业经济, 汽车工业, 仪器仪表工业, 金属学及金属工艺, 有机化工, 航空航天科学与工程, 机械工业, 动力工程, 铁路运输
杂志关键词分布:化学机械抛光(CMP),单片微波集成电路(MMIC),GaN,SiC MOSFET,可靠性,低功耗,硅通孔(TSV),击穿电压,高电子迁移率晶体管(HEMT),GaN功率放大器单片微波集,SiC,失效分析,功率放大器,阈值电压,绝缘栅双极型晶体管(IGBT),发光二极管(LED),IGBT,GaAs,有限元仿真,功率器件
半导体技术杂志影响因子走势:0.2,0.18,0.22,0.22,0.28,0.28,0.31,0.4,0.47,0.57,